基于可视的晶片凹口的位置测量
授权
摘要
本发明涉及基于可视的晶片凹口的位置测量。一种晶片对准系统包括捕获定位在基座上的晶片的图像的图像捕获设备。图像分析模块分析所述图像以检测晶片的边缘与形成在晶片的边缘的凹口并且基于所述凹口的位置计算对应于晶片的边缘的第一边缘位置和第二边缘位置。偏移计算模块基于第一边缘位置和第二边缘位置计算晶片的角度偏移。系统控制模块基于该角度偏移控制晶片从基座到处理单元的传送。
基本信息
专利标题 ：
基于可视的晶片凹口的位置测量
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN106409741A
申请号 ：
CN201610613778.9
公开（公告）日 ：
2017-02-15
申请日 ：
2016-07-29
授权号 ：
CN106409741B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
古斯塔沃·G·弗兰肯布兰登·森彼得·陶拉德陈卓智理查德·K·莱昂斯克里斯汀·迪皮特罗克里斯多夫·M·巴特利特
申请人 ：
朗姆研究公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海胜康律师事务所
代理人 ：
樊英如
优先权 ：
CN201610613778.9
主分类号 ：
H01L21/68
IPC分类号 ：
H01L21/68
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/68
用于定位、定向或对准的
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2018-08-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/68
申请日 : 20160729
申请日 : 20160729
2017-02-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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