测量晶片设备

授权

摘要

一种用于测量辐射强度及温度的测量晶片装置包含晶片组合件，所述晶片组合件包含一或多个空腔。所述测量晶片装置进一步包含检测器组合件。所述检测器组合件安置于所述晶片组合件的所述一或多个空腔内。所述检测器组合件包含一或多个光传感器。所述检测器组合件进一步经配置以执行对入射于所述晶片组合件的表面上的紫外光强度的直接或间接测量。所述检测器组合件进一步经配置以基于所述一或多个光传感器的一或多个特性确定所述晶片组合件的一或多个部分的温度。

基本信息

专利标题：

测量晶片设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112635365A

申请号：

CN202011524836.3

公开（公告）日：

2021-04-09

申请日：

2015-10-13

授权号：

CN112635365B

授权日：

2022-04-01

发明人：

梅·孙厄尔·詹森凯文·奥布赖恩

申请人：

科磊股份有限公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司

代理人：

刘丽楠

优先权：

CN202011524836.3

主分类号：

H01L21/67

IPC分类号：

H01L21/67 H01L21/66 G01J1/02 G01J1/04 G01J1/42 G01J1/58 G01J5/04 G01J5/08 G01J5/10

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/67

专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置

法律状态

2022-04-01 ：

授权

2021-04-27 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20151013

2021-04-09 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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