基于形状计量的晶片位置评分
授权
摘要
本发明提供用于基于形状计量的晶片位置评分的方法及系统。一种方法包含针对晶片上的至少两个位置选择基于形状的分组SBG规则。针对所述晶片位置中的一者，所述选择步骤包含使用所述一个位置的计量数据修改所述晶片的设计中的几何基元之间的距离且基于所述距离确定与以所述一个位置为中心的视场中的所述几何基元相关联的SBG规则的计量复杂性MC得分。所述选择步骤还包含基于所述MC得分针对所述一个位置选择所述SBG规则中的一者。所述方法还包含基于针对所述晶片上的所述至少两个位置选择的所述SBG规则对所述至少两个位置排序。
基本信息
专利标题 ：
基于形状计量的晶片位置评分
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111954928A
申请号 ：
CN201980025234.2
公开（公告）日 ：
2020-11-17
申请日 ：
2019-04-07
授权号 ：
CN111954928B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
S·巴纳吉J·C·萨拉斯瓦图拉
申请人 ：
科磊股份有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
刘丽楠
优先权 ：
CN201980025234.2
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2021-04-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20190407
申请日 : 20190407
2020-11-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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