一种交叉垂直SiO2纳米棒及其制备...
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摘要
本发明属于低维纳米材料领域，特别涉及一种垂直交叉SiO2纳米棒的制备方法。利用热蒸发法无需金属催化剂，将SiO粉置于炉心高温区，收集基底同样也放置于高温区，将炉腔体内充入氩气并将管式炉中心区升温至1050‑1150 ℃，保温3‑4 hrs，保温时间届满后，所述生长衬底上即生长出交叉垂直SiO2纳米棒。本发明具有环保安全、方法简单、反应快速、无污染、成本低、样品纯度高等优点。制备的交叉垂直纳米棒在医药、滤光、催化、光吸收及新型材料等领域具有很大的应用潜力。
基本信息
专利标题 ：
一种交叉垂直SiO2纳米棒及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN106276922A
申请号 ：
CN201610648682.6
公开（公告）日 ：
2017-01-04
申请日 ：
2016-08-10
授权号 ：
CN106276922B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
吕航杨喜宝陈双龙王秋实王莉丽朱革辛双宇董恩来刘秋颖
申请人 ：
渤海大学
申请人地址 ：
辽宁省锦州市松山新区科技路19号
代理机构 ：
沈阳智龙专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
宋铁军
优先权 ：
CN201610648682.6
主分类号 ：
C01B33/12
IPC分类号 ：
C01B33/12 B82Y40/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/113
氧化硅；其水合物
C01B33/12
硅石；其水合物，如勒皮硅酸
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2019-07-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01B 33/12
申请日 : 20160810
申请日 : 20160810
2017-01-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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