基于硅/石墨烯纳米膜/锗的垂直光电探测器及制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种基于硅/石墨烯纳米膜/锗的垂直光电探测器及制备方法，该光电探测器包括单晶锗衬底、氧化铝介质层、二氧化硅氧化层、石墨烯纳米膜、金属电极和SOI顶硅。本发明在石墨烯/锗近红外光电探测器优异性能的基础上，使用厚度可调的石墨烯纳米膜，增加了器件的光吸收及响应波段，在石墨烯纳米膜上垂直堆叠微米级尺度SOI顶硅，形成SOI顶硅/石墨烯纳米膜以及石墨烯纳米膜/单晶锗衬底两个肖特基结，在SOI顶硅和锗上施加两种不同方向偏压的条件下，既能实现对可见光的高响应度探测，又能实现对近红外、中红外光的宽光谱有效探测，将多/宽光谱探测功能集于单个器件，大大缩小了探测器的尺寸，提高了传统硅基器件能效极限。
基本信息
专利标题 ：
基于硅/石墨烯纳米膜/锗的垂直光电探测器及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114583003A
申请号 ：
CN202210463642.X
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-04-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐杨刘粒祥陈彦策彭蠡高超
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
代理机构 ：
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 ：
刘静
优先权 ：
CN202210463642.X
主分类号 ：
H01L31/108
IPC分类号 ：
H01L31/108 H01L31/18 B82Y15/00 B82Y40/00 B82Y30/00
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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