垂直结构NiO/SiO2/ZnO紫...
实质审查的生效
摘要
垂直结构NiO/SiO2/ZnO紫外探测器及其制备方法，涉及一种紫外探测器，尤其是一种加入SiO2绝缘层的p‑NiO/n‑ZnO紫外光电探测器。紫外探测器从下至上分别为石英衬底、ITO电极层、NiO薄膜、SiO2薄膜、ZnO薄膜和Al电极层。方法包括前期多晶p‑NiO、SiO2和n‑ZnO薄膜的制备、后退火处理。本发明器件对紫外光显示出良好的敏感性且具有良好的整流特性和低的暗电流，器件性能优异。
基本信息
专利标题 ：
垂直结构NiO/SiO2/ZnO紫外探测器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497271A
申请号 ：
CN202111524701.1
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
唐利斌贾梦涵王方项金钟
申请人 ：
昆明物理研究所
申请人地址 ：
云南省昆明市五华区教场东路31号
代理机构 ：
昆明祥和知识产权代理有限公司
代理人 ：
和琳
优先权 ：
CN202111524701.1
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L31/109 C23C14/08 C23C14/10 C23C14/18 C23C14/24 C23C14/35 C23C14/58
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20211214
申请日 : 20211214
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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