高空穴移动率晶体管
授权
摘要
本发明实施例提供一种高空穴移动率晶体管，包括：背阻挡层，位于基板上；导通层，位于背阻挡层上；通道区，位于导通层中，邻近导通层与背阻挡层的介面；掺杂层，位于导通层上；栅极电极，位于掺杂层上；源极/漏极电极，分别位于栅极电极的两相对侧；及能带调整层，位于掺杂层上，并与栅极电极电连接；其中能带调整层为N型掺杂三五族半导体。本发明可形成增强型高空穴移动率晶体管，同时保持良好均匀性及通道低阻值。
基本信息
专利标题 ：
高空穴移动率晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109524460A
申请号 ：
CN201710844740.7
公开（公告）日 ：
2019-03-26
申请日 ：
2017-09-19
授权号 ：
CN109524460B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
陈富信林永豪林鑫成林信志黄嘉庆
申请人 ：
世界先进积体电路股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
王涛
优先权 ：
CN201710844740.7
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/06 H01L21/335
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2019-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/778
申请日 : 20170919
申请日 : 20170919
2019-03-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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