本发明揭示了一种LELE双重图形工艺方法，所述LELE双重图形工艺方法包括：提供用于转印至晶圆的设计图形，所述设计图形包括多个子图形；对所述设计图形进行第一次分解，使得至少两个子图形分解以满足曝光工艺承受能力；对所述设计图形进行第二次分解，使得至少两个子图形分解以改善OPC异常，所述第二次分解后，所述多个子图形分为两组子图形；将每一组子图形分别制作成一个掩膜版；以及分别以获得的掩膜版对所述晶圆进行光刻刻蚀。由此，通过两次分解，既满足了光刻机的曝光承受能力，又避免子图形之间的相互影响而造成的OPC异常，从而进行曝光时，能够改善图形失真的情况，使得光刻图形更贴近设计图形，可以提高光刻质量。