本发明涉及一种双重图形刻蚀方法和DRAM的制造方法，属于半导体技术领域，解决了现有技术中在工艺腔室中实施所有刻蚀工艺而导致制造成本提高的问题。该方法包括：在工艺腔室中提供包括半导体衬底；在半导体衬底上方顺序形成第一硬掩模层、第二硬掩模层、底部掩模层和顶部掩模层；通过光刻工艺对顶部掩模层进行图案化；在图案化的顶部掩模层上方沉积侧墙材料层；对侧墙材料层和顶部氮氧化硅掩模层进行刻蚀以暴露旋涂碳掩模层的顶面；以及将半导体衬底从工艺腔室转移至光刻胶剥离室中，通过去胶工艺去除旋涂碳掩模层。在工艺腔室中实施侧墙氧化物和SiON刻蚀工艺而在光刻胶剥离室中实施旋涂碳刻蚀工艺，以缩减工艺腔室的使用时间。