一种厚膜材料纳米图形刻蚀方法
公开
摘要
本发明公开了一种厚膜材料纳米图形刻蚀方法，将几十纳米厚度薄膜材料转移到衬底上(半导体、聚合物、玻璃等)，采用电子束光刻技术在薄膜表面刻蚀纳米量级图形，EBL胶采用上下两种不同得胶形成倒梯形结构。然后采用电子束蒸发，蒸镀一层铝金属薄膜，利用丙酮剥离，ICP(感应耦合等离干法刻蚀)刻蚀薄膜，200℃通氯气，去除表面铝，即可得到不同线宽的薄膜结构，线宽最小可达到百纳米量级。本发明可以刻蚀几十纳米厚度的薄膜，解决了图形化刻蚀纳米量级薄膜只能刻蚀单层或少层二维材料的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种厚膜材料纳米图形刻蚀方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114604820A
申请号 ：
CN202210225160.0
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐杨曹小雪吴少雄彭蠡
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
代理机构 ：
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 ：
刘静
优先权 ：
CN202210225160.0
主分类号 ：
B81C1/00
IPC分类号 ：
B81C1/00 G03F7/095 B82Y30/00 B82Y40/00
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B81
微观结构技术
B81C
专门适用于制造或处理微观结构的装置或系统的方法或设备
B81C1/00
在基片内或其上制造或处理的装置或系统
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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