栅电极结构中的负电容匹配
授权
摘要
本发明提供了一种栅电极结构中的负电容匹配。可以提供晶体管元件的栅电极结构作为负电容器部分和浮置电极部分的串联连接。当形成负电容器部分时，可以基于两种不同的机制或制造工艺调整负电容的值，从而提供正浮置栅电极部分和负电容器部分的优异匹配。例如，可以基于独立的制造工艺调整铁电材料的层厚度和电介质材料的有效电容区域。
基本信息
专利标题 ：
栅电极结构中的负电容匹配
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109671629A
申请号 ：
CN201811198353.1
公开（公告）日 ：
2019-04-23
申请日 ：
2018-10-15
授权号 ：
CN109671629B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
R·格拉塔奇S·本特利P·H·苏瓦纳Z·克里沃卡皮克
申请人 ：
格芯公司
申请人地址 ：
开曼群岛大开曼岛
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
杨晓光
优先权 ：
CN201811198353.1
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/28 H01L29/423 H01L29/51 H01L29/78 H01L29/788 H01L27/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2020-12-18 ：
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : H01L 21/336
登记生效日 : 20201208
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 格芯公司
变更后权利人 : 格芯美国公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 开曼群岛大开曼岛
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州
登记生效日 : 20201208
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 格芯公司
变更后权利人 : 格芯美国公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 开曼群岛大开曼岛
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州
2019-05-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20181015
申请日 : 20181015
2019-04-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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