一种太阳能电池的制备工艺
授权
摘要
本发明公开了一种太阳能电池的制备工艺，包括以下步骤：S1：在硅基体的至少一个表面上设置本征硅层；S2：在所述本征硅层上设置掺杂源层；S3：使与所述本征硅层预设区域对应位置处的所述掺杂源层的掺杂源分解出掺杂离子并使所述掺杂离子进入所述本征硅层的预设区域，在所述本征硅层的预设区域形成掺杂区域，同时在所述掺杂区域上形成有含掺杂源的氧化硅保护层；S4：去除所述本征硅层上设置有掺杂源层的未掺杂区域，在所述硅基体的至少一个表面上形成局部掺杂硅层。该工艺利用激光完成局部掺杂多晶硅层或非晶硅层，工艺简洁可行。
基本信息
专利标题 ：
一种太阳能电池的制备工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111063760A
申请号 ：
CN201811207806.2
公开（公告）日 ：
2020-04-24
申请日 ：
2018-10-17
授权号 ：
CN111063760B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
陈孝业蒋秀林
申请人 ：
晶澳太阳能有限公司;晶澳（扬州）太阳能科技有限公司
申请人地址 ：
河北省邢台市宁晋县晶龙大街267号
代理机构 ：
广州知友专利商标代理有限公司
代理人 ：
李海波
优先权 ：
CN201811207806.2
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L31/068 H01L31/0288
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2020-05-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20181017
申请日 : 20181017
2020-04-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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