本发明涉及一种利用复合金属模板制备阵点厚度不同石墨烯阵列的方法，该方法用掩模版在铜箔上镀金属镍阵列(或在镍箔上镀金属铜阵列)，然后高温加热使其表面变成铜镍合金阵列，然后在CVD工艺的生长温度下，通入碳源，降温时在复合金属薄膜表面生长出石墨烯阵列，利用复合金属薄膜来控制不同区域石墨烯的层数，制备出高品质的中间厚边缘薄石墨烯阵列或中间薄边缘厚的石墨烯阵列，解决了现有方法得到石墨烯阵列每个阵点厚度均匀的问题，满足了加速度传感器、压力传感器等应用对石墨烯的特殊需要，能够得到高质量的石墨烯阵列。