用于TiN-SiN化学机械抛光应用的高选择性的氮化物抑制...
授权
摘要
本发明提供化学机械抛光组合物，包含：(a)研磨剂颗粒；(b)移除速率抑制剂，其选自(I)包含聚氧化烯官能团及磺酸根官能团的表面活性剂、(II)包含聚氧化烯官能团及硫酸根官能团的表面活性剂、(III)包含聚氧化烯官能团的第一表面活性剂及包含磺酸根官能团的第二表面活性剂、及(IV)包含聚氧化烯官能团的第一表面活性剂及包含硫酸根官能团的第二表面活性剂；及(c)水性载剂。本发明还提供利用本发明化学机械抛光组合物对包含TiN及SiN的基板进行化学机械抛光的方法。
基本信息
专利标题 ：
用于TiN-SiN化学机械抛光应用的高选择性的氮化物抑制剂
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111108161A
申请号 ：
CN201880059982.8
公开（公告）日 ：
2020-05-05
申请日 ：
2018-08-13
授权号 ：
CN111108161B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
简智贤邱逸闳黄宏聪叶铭智
申请人 ：
嘉柏微电子材料股份公司
申请人地址 ：
美国伊利诺伊州
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
邢岳
优先权 ：
CN201880059982.8
主分类号 ：
C09G1/02
IPC分类号 ：
C09G1/02 C09K3/14 H01L21/306 H01L21/321
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C09
染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用
C09G
抛光组合物；滑雪屐蜡
C09G1/00
抛光组合物
C09G1/02
含有磨料或研磨剂
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2021-09-17 ：
著录事项变更
IPC(主分类) : C09G 1/02
变更事项 : 申请人
变更前 : 嘉柏微电子材料股份公司
变更后 : CMC材料股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国伊利诺伊州
变更后 : 美国伊利诺伊州
变更事项 : 申请人
变更前 : 嘉柏微电子材料股份公司
变更后 : CMC材料股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国伊利诺伊州
变更后 : 美国伊利诺伊州
2020-05-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C09G 1/02
申请日 : 20180813
申请日 : 20180813
2020-05-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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