低纵横比压敏电阻

授权

摘要

公开了一种低纵横比压敏电阻。压敏电阻可以具有矩形构造，其限定在宽度方向上偏移的第一和第二相对侧表面以及在长度方向上偏移的第一和第二相对端表面。压敏电阻可以包括第一电极层，该第一电极层包括第一电极，该第一电极具有在长度方向上的电极长度和在宽度方向上的电极宽度。压敏电阻还可以包括第二电极层，该第二电极层包括第二电极，该第二电极具有在长度方向上的电极长度和在宽度方向上的电极宽度。压敏电阻还可包括分别与第一和第二相对端表面相邻并连接的第一和第二端子。第一或第二电极中的至少一个可具有小于约1的电极纵横比。

基本信息

专利标题：

低纵横比压敏电阻

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111542900A

申请号：

CN201880085168.3

公开（公告）日：

2020-08-14

申请日：

2018-11-30

授权号：

CN111542900B

授权日：

2022-04-15

发明人：

M.柯克M.贝罗利尼P.拉文德拉纳坦

申请人：

阿维科斯公司

申请人地址：

美国南卡罗来纳州

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

王冉

优先权：

CN201880085168.3

主分类号：

H01C7/10

IPC分类号：

H01C7/10 H01C1/14