一种激光退火装置、阵列基板、显示装置及制作方法
授权
摘要
本发明公开了一种激光退火装置、阵列基板、显示装置及制作方法，以解决现有技术中的退火装置在对不同的显示产品进行退火时，由于需要重新更换与其相匹配的MLA掩模和微透镜排列，进而导致设备和工艺调试时间较长，显示装置的制作时间较长的问题。所述激光退火装置，包括：光源结构、设置在所述光源结构出光侧相互叠置的微透镜阵列结构和掩膜更换结构，其中，所述微透镜阵列结构包括多个呈阵列排列的微透镜，所述掩膜更换结构包括掩膜板，以及根据待退火的阵列基板的不同用于对所述掩膜板进行更换的更换部件，所述掩膜板复用为对所述阵列基板的膜层进行构图时的掩膜板。
基本信息
专利标题 ：
一种激光退火装置、阵列基板、显示装置及制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109742044A
申请号 ：
CN201910026990.9
公开（公告）日 ：
2019-05-10
申请日 ：
2019-01-11
授权号 ：
CN109742044B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
龙春平
申请人 ：
京东方科技集团股份有限公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区酒仙桥路10号
代理机构 ：
北京同达信恒知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭润湘
优先权 ：
CN201910026990.9
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/268
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2019-06-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20190111
申请日 : 20190111
2019-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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