具有应力缓冲层的空腔型体声波谐振器及其制备方法
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摘要

本发明涉及体声波谐振器制备技术领域,尤其是涉及一种具有应力缓冲层的空腔型体声波谐振器及其制备方法;步骤为:在具有损伤层的压电单晶晶圆上制备下电极和图形化的牺牲层;在图形化的牺牲层上制备应力缓冲层;在应力缓冲层上制备键合层;将衬底叠放于键合层上,进行键合处理和晶圆劈裂处理,移除上压电层,制备上电极;在单晶薄膜层上表面开设图形化的牺牲层所需要的牺牲层释放孔,释放牺牲层,得到具有应力缓冲层的空腔型体声波谐振器;通过在单晶薄膜层与键合层间设置应力缓冲层的设计以解决现有的在键合过程中,界面应力过大导致的单晶薄膜产生裂纹、翘起、凹陷、甚至脱落等问题,提高空腔型体声波谐振器的性能。

基本信息
专利标题 :
具有应力缓冲层的空腔型体声波谐振器及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN110011631A
申请号 :
CN201910187160.4
公开(公告)日 :
2019-07-12
申请日 :
2019-03-13
授权号 :
CN110011631B
授权日 :
2022-05-03
发明人 :
罗文博帅垚吴传贵
申请人 :
电子科技大学
申请人地址 :
四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
代理机构 :
电子科技大学专利中心
代理人 :
闫树平
优先权 :
CN201910187160.4
主分类号 :
H03H3/02
IPC分类号 :
H03H3/02  H03H9/17  H03H9/02  
法律状态
2022-05-03 :
授权
2019-08-06 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03H 3/02
申请日 : 20190313
2019-07-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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