反熔丝结构及其制造方法
授权
摘要
本发明实施例提供了一种反熔丝结构及其制造方法，涉及半导体生产技术领域，所述反熔丝结构包括：衬底；位于所述衬底中的有源区；栅极结构，位于所述衬底中的所述有源区上；覆盖所述栅极结构和所述有源区的应力层。本发明的技术方案通过在栅极结构和有源区上方覆盖应力层，可以降低反熔丝结构的编程电压。
基本信息
专利标题 ：
反熔丝结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112420663A
申请号 ：
CN201910785082.8
公开（公告）日 ：
2021-02-26
申请日 ：
2019-08-23
授权号 ：
CN112420663B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
李雄冯鹏
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙宝海
优先权 ：
CN201910785082.8
主分类号 ：
H01L23/525
IPC分类号 ：
H01L23/525
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/525
具有可适用互连装置的
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2021-03-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/525
申请日 : 20190823
申请日 : 20190823
2021-02-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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