一种表面晶粒定向生长的氮化硅陶瓷及其制备方法
授权
摘要
本发明涉及一种表面晶粒定向生长的氮化硅陶瓷及其制备方法，所述表面晶粒定向生长的氮化硅陶瓷包括：主相为β‑Si3N4的氮化硅陶瓷基体、以及原位定向生长于氮化硅陶瓷基体表面的由长棒状β‑Si3N4晶粒形成的膜层，所述长棒状β‑Si3N4晶粒的直径为200nm～2μm，长度为2～5μm。
基本信息
专利标题 ：
一种表面晶粒定向生长的氮化硅陶瓷及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112441838A
申请号 ：
CN201910809154.8
公开（公告）日 ：
2021-03-05
申请日 ：
2019-08-29
授权号 ：
CN112441838B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
张景贤段于森刘宁
申请人 ：
中国科学院上海硅酸盐研究所苏州研究院;中国科学院上海硅酸盐研究所
申请人地址 ：
江苏省苏州市太仓市良辅路6号
代理机构 ：
上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹芳玲
优先权 ：
CN201910809154.8
主分类号 ：
C04B35/584
IPC分类号 ：
C04B35/584 C04B35/622 C04B35/64
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/515
以非氧化物为基料的
C04B35/58
以硼化物、氮化物或硅化物为基料的
C04B35/584
以氮化硅为基料的
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2021-03-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C04B 35/584
申请日 : 20190829
申请日 : 20190829
2021-03-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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