一种定向生长氟化物晶体的坩埚
授权
摘要

本实用新型公开了一种定向生长氟化物晶体的坩埚,包括坩埚本体,所述坩埚本体的顶部开设有坩埚内腔,所述坩埚内腔的内部底部中央位置处嵌入有结晶球体,所述结晶球体的内部中央位置处开设有结晶腔和进料腔,所述结晶腔位于进料腔的一侧,所述结晶球体的一侧外壁上设置有螺纹连接套,所述结晶球体的一侧位置处设置有结晶定向管,所述结晶定向管的一端设置有螺纹连接头。该定向生长氟化物晶体的坩埚,通过结晶球体在坩埚内腔内的转动和结晶定向管的限位,不仅可以调节氟化物结晶体的生长成型方向和角度,还能对氟化物结晶体生长进行限位,避免氟化物晶体形变弯曲甚至倾倒,保证氟化物晶体可以在坩埚本体内定向生长。

基本信息
专利标题 :
一种定向生长氟化物晶体的坩埚
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202122860000.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-11-19
授权号 :
CN216274454U
授权日 :
2022-04-12
发明人 :
不公告发明人
申请人 :
常熟通乐电子材料有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市常熟经济技术开发区研究院路9号2幢101室
代理机构 :
北京哌智科创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
张璇
优先权 :
CN202122860000.7
主分类号 :
C30B11/00
IPC分类号 :
C30B11/00  C30B29/12  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长,例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
法律状态
2022-04-12 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332