一种金属纳米晶界面碳基材料超组装可控生长方法
授权
摘要
本发明公开了一种金属纳米晶界面碳基材料超组装可控生长方法，形成结构可控的周期性阵列结构，并通过等离子化学沉积(PECVD)方法，对纳米晶进行表面碳基材料的原位包覆，获得多元超组装纳米晶‑碳基复合材料的新方法。本发明属于纳米材料技术领域。本发明的优点在于：本发明以AAO为模板制备的SERS阵列材料，形貌可控，重复性好，多孔阵列结构可通过模板结构进行有效的热点调控，方法稳定性强。本发明采用的制备方法简单、可操作性强，成本低廉、环境友好、效率较高，可作为大规模批量生产优良性能的SERS基底的方法，制备方法易于工业化生产，方法普适性强。
基本信息
专利标题 ：
一种金属纳米晶界面碳基材料超组装可控生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111647871A
申请号 ：
CN201910989066.0
公开（公告）日 ：
2020-09-11
申请日 ：
2019-10-17
授权号 ：
CN111647871B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
梁秀许冠辰李宁刘家庆李勇高萌
申请人 ：
山东省科学院新材料研究所
申请人地址 ：
山东省济南市历下区科院路19号
代理机构 ：
济南千慧专利事务所(普通合伙企业)
代理人 ：
赵长林
优先权 ：
CN201910989066.0
主分类号 ：
C23C16/26
IPC分类号 ：
C23C16/26 C23C16/50 C23C16/02 C25D11/12 B22F9/24 C01B32/186
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/26
仅沉积碳
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2020-10-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/26
申请日 : 20191017
申请日 : 20191017
2020-09-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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