可控双球面锗单晶生长方法及模具
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明涉及一种可控双球面锗单晶生长的方法及模具，属半导体冶金晶体生长领域。本发明将锗金属和锗单晶籽晶分别装入公知的单晶生长设备中的模具的上石墨模2与下石墨模3之间和下模3下部的晶种室4内，经一段时间的晶种导引，模块热固直接生长出任意曲率半径的双球面单晶体。本发明具有工序简单，材料消耗低，光学质量高，无污染，成本低等优点，适用于生长双球面或单球面锗单晶体透镜毛坯。
基本信息
专利标题 ：
可控双球面锗单晶生长方法及模具
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1068156A
申请号 ：
CN92104643.X
公开（公告）日 ：
1993-01-20
申请日 ：
1992-06-11
授权号 ：
CN1033179C
授权日 ：
1996-10-30
发明人 ：
吴雅颂李昆任敏
申请人 ：
昆明冶金研究所
申请人地址 ：
650031云南省昆明市园西路5号
代理机构 ：
云南省高校专利事务所
代理人 ：
杨宏珍
优先权 ：
CN92104643.X
主分类号 ：
C30B29/08
IPC分类号 ：
C30B29/08 C30B29/66 C30B11/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/08
锗
法律状态
1998-08-12 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1996-10-30 ：
授权
1993-01-20 ：
公开
1992-12-23 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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