晶体管的开启电压的测试方法及测试装置
授权
摘要

一种晶体管的开启电压的测试方法及测试装置。该测试方法包括:获得第一测量开启电压以及检测目标电流;对晶体管的源漏电流进行多个测试步骤,其中,多个测试步骤每个包括:对栅极施加测量电压,在源极和漏极之间施加源漏电压的同时,测量源极与漏极之间的测量电流,其中,多个测试步骤的多个测量电压彼此不同,源漏电压在多个测试步骤中保持不变,且在第一个测量步骤中采用第一测量开启电压作为测量电压,多个测试步骤的多个测量电流所构成的测量电流区间覆盖检测目标电流;以及基于多个测量电流获得晶体管的开启电压。上述测试方法可以提高开启电压的测试精度以及在同等测试精度下减少测试时间。

基本信息
专利标题 :
晶体管的开启电压的测试方法及测试装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111220888A
申请号 :
CN201911220213.4
公开(公告)日 :
2020-06-02
申请日 :
2019-12-03
授权号 :
CN111220888B
授权日 :
2022-04-22
发明人 :
王明
申请人 :
海光信息技术有限公司
申请人地址 :
天津市天津华苑产业区海泰西路18号北2-204工业孵化-3-8
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
彭久云
优先权 :
CN201911220213.4
主分类号 :
G01R31/26
IPC分类号 :
G01R31/26  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-04-22 :
授权
2020-12-04 :
著录事项变更
IPC(主分类) : G01R 31/26
变更事项 : 申请人
变更前 : 海光信息技术有限公司
变更后 : 海光信息技术股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 300384 天津市天津华苑产业区海泰西路18号北2-204工业孵化-3-8
变更后 : 300384 天津市天津华苑产业区海泰西路18号北2-204工业孵化-3-8
2020-06-26 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/26
申请日 : 20191203
2020-06-02 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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