一种可稳定硅源浓度的自动控制系统及其控制方法
授权
摘要
本发明涉及一种可稳定硅源浓度的自动控制系统及其控制方法，包括氢气输入阀组和TCS气源钢瓶，TCS气源钢瓶与氢气输入阀组、TCS输入管和TCS输出管均相连，PLC控制器与TCS输入管上的常闭控制阀以及TCS气源钢瓶内的液位传感器相连。外延生长过程结束后，进行自动充料，启动PLC控制器，液位传感器检测液面，如果处于低液位，开启常闭控制阀进行充料，反复充料至液位达到固定液位，液位传感器探测到固定液位，在充料过程中完成第一片衬底硅片的取下、基座净化和第二片衬底硅片的安装。本发明采用新的控制系统及方法，充分延长充料时间，且增加充料频率、减少充料量以获得相对固定的液面，保证均匀的小气泡饱和浓度压力相对稳定。
基本信息
专利标题 ：
一种可稳定硅源浓度的自动控制系统及其控制方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111101111A
申请号 ：
CN201911248924.2
公开（公告）日 ：
2020-05-05
申请日 ：
2019-12-09
授权号 ：
CN111101111B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
李慎重杨德仁马向阳王震田达晰蒋玉龙邓伟张银光梁兴勃
申请人 ：
金瑞泓微电子（衢州）有限公司
申请人地址 ：
浙江省衢州市绿色产业集聚区盘龙南路52号9幢
代理机构 ：
上海泰能知识产权代理事务所
代理人 ：
王亮
优先权 ：
CN201911248924.2
主分类号 ：
C23C16/24
IPC分类号 ：
C23C16/24 C23C16/448 C30B25/16 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/24
仅沉积硅
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2020-05-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/24
申请日 : 20191209
申请日 : 20191209
2020-05-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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