硅晶圆预对准控制方法
专利权的终止
摘要
本发明属于计算机数值控制领域，特别涉及IC制造领域硅晶圆预对准的控制方法，包括：由硅晶圆的圆周采样、数据预处理、圆拟合和硅晶圆对心组成的硅晶圆定位方法；由缺口粗定位、缺口细采样、缺口拟合和将缺口中心旋转到指定的角度组成的缺口定位方法两部分。本发明可大大提高预对准精度。
基本信息
专利标题 ：
硅晶圆预对准控制方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1787200A
申请号 ：
CN200510116695.0
公开（公告）日 ：
2006-06-14
申请日 ：
2005-10-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
宋亦旭李世昌赵雁南杨泽红王家钦贾培发慕强
申请人 ：
清华大学
申请人地址 ：
100084北京市海淀区清华园
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所
代理人 ：
廖元秋
优先权 ：
CN200510116695.0
主分类号 ：
H01L21/68
IPC分类号 ：
H01L21/68 G03F7/20 G05B15/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/68
用于定位、定向或对准的
法律状态
2012-01-04 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101165550261
IPC(主分类) : H01L 21/68
专利号 : ZL2005101166950
申请日 : 20051028
授权公告日 : 20071212
终止日期 : 20101028
号牌文件序号 : 101165550261
IPC(主分类) : H01L 21/68
专利号 : ZL2005101166950
申请日 : 20051028
授权公告日 : 20071212
终止日期 : 20101028
2007-12-12 ：
授权
2006-08-09 ：
实质审查的生效
2006-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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