一种形状记忆合金径向梯度薄膜及其制备方法
授权
摘要
本发明公开了一种形状记忆合金径向梯度薄膜及其制备方法，属于功能梯度形状记忆合金薄膜领域。本发明要解决狭小空间中需要薄膜具备微小型、高致密性的技术问题。本发明方法：一、Si片依次用去离子水、丙酮、无水乙醇超声清洗；二、通过光刻技术将设计的图形转移到步骤一处理后的Si片上，保证Si片凹槽深度是薄膜单层厚度的奇数倍；三、采用双靶溅射的方式，在惰性气体保护下将Ti和Ni交替溅射到步骤二处理后的Si基片上，磨平；四、然后旋涂PMMA，再置于HF溶液中去除Si片，将突出部分磨平；五、然后置于丙酮溶液中去除PMMA；六、重结晶退火。本发明应用于生物医疗、航空航天等领域，传统记忆合金一般会实现单方向的弯曲，径向梯度薄膜可以实现多方向的弯曲。
基本信息
专利标题 ：
一种形状记忆合金径向梯度薄膜及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111041421A
申请号 ：
CN201911395862.8
公开（公告）日 ：
2020-04-21
申请日 ：
2019-12-30
授权号 ：
CN111041421B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
王振龙王振张甲
申请人 ：
哈尔滨工业大学
申请人地址 ：
黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
代理机构 ：
哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司
代理人 ：
张金珠
优先权 ：
CN201911395862.8
主分类号 ：
C23C14/16
IPC分类号 ：
C23C14/16 C23C14/02 C23C14/35 C23C14/58
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/06
以镀层材料为特征的
C23C14/14
金属材料、硼或硅
C23C14/16
在金属基体或在硼或硅基体上
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2020-05-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/16
申请日 : 20191230
申请日 : 20191230
2020-04-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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