一种用于测量晶体在高压下溶解度的装置与方法
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摘要

本发明提供一种用于测量晶体在高压下溶解度的装置,包括压砧组件,所述压砧组件包括砧面相对的上压砧、下压砧,上压砧、下压砧之间设置密封垫,所述密封垫的内圈与所述上压砧、下压砧的砧面围成密封溶剂槽,所述溶剂池内填充溶剂,待测样品浸于溶剂内且设置于密封垫的内圈处,其中,所述待测样品由待测晶体与非溶基体混合后压致成型的块体,所述溶剂为待测晶体的饱和溶液。本发明提供的用于测量晶体在高压下溶解度的装置与方法,通过在压砧内部引入溶剂池的方法,可突破高压样品腔体积的限制,实现利用高压原位衍射(中子衍射及x衍射均可)直接测量晶态物质在高压下的溶解度这一目的。

基本信息
专利标题 :
一种用于测量晶体在高压下溶解度的装置与方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111077175A
申请号 :
CN201911410916.3
公开(公告)日 :
2020-04-28
申请日 :
2019-12-31
授权号 :
CN111077175B
授权日 :
2022-04-05
发明人 :
贺端威胡启威
申请人 :
四川大学
申请人地址 :
四川省成都市武侯区一环路南一段24号
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN201911410916.3
主分类号 :
G01N23/20
IPC分类号 :
G01N23/20  G01N23/20041  G01N23/20033  G01N23/20025  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N23/00
利用波或粒子辐射来测试或分析材料,例如未包括在G01N3/00-G01N17/00、G01N 21/00 或G01N 22/00中的X射线或中子
G01N23/20
利用材料辐射的衍射,例如,用于测试晶体结构;利用材料辐射的散射,例如测试非晶材料;利用材料辐射的反射
法律状态
2022-04-05 :
授权
2020-05-22 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 23/20
申请日 : 20191231
2020-04-28 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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