一种用于氮化镓晶体生长高压釜的移动装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于氮化镓晶体生长高压釜的移动装置,包括底板和底座,底板上固定安装有固定板、第一限位板、第二限位板和第三限位板,底板的顶部设置有滑轨,底座的底部固定安装有万向轮,底座的顶部固定连接有高压釜,高压釜的两侧连接有连接块,连接块上连接有滑套,滑套上连接有转动杆,第一限位板上安装有电机,电机的输出轴与转动轴固定连接,转动轴上连接有第一齿轮,第一齿轮的两侧啮合连接有第二齿轮,第二齿轮与转动杆固定连接。本实用新型通过电机带动高压釜、底座和万向轮在滑轨方向上移动,将高压釜沿着滑轨移动至不同的场地区域,进行装料、充氨、生长和清洗等工艺,结构简单,操作方便,节省了人力,提高了生产效率。
基本信息
专利标题 :
一种用于氮化镓晶体生长高压釜的移动装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020535252.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-04-13
授权号 :
CN212077202U
授权日 :
2020-12-04
发明人 :
乔焜林岳明高明哲
申请人 :
上海玺唐半导体科技有限公司
申请人地址 :
上海市松江区文翔东路58号9幢1楼
代理机构 :
北京沁优知识产权代理有限公司
代理人 :
方仕杰
优先权 :
CN202020535252.5
主分类号 :
C30B29/40
IPC分类号 :
C30B29/40 C30B7/10
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/40
AⅢBv化合物
法律状态
2020-12-04 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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