一种多光敏区特高压光控晶闸管

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摘要

本实用新型提供一种多光敏区特高压光控晶闸管，将传统光控晶闸管的一个光敏区和一组放大门极触发结构变换为四个光敏区和四组放大门极组件，集成在同一个半导体芯片内，由单域控制开通变为四域控制开通，主要包括，光敏区、放大门极、放大门极延伸枝条、阳极、阴极面、共用的台面、隔离槽、隔离间距、四层二端四光敏区结构，分别为N₂⁺层、P₂+P₂⁺层、P₁⁺+P₁层、N^‑层、A端、K端，器件关于x轴、y轴、z轴对称，利用光控晶闸管的触发机制是以非接触和快速导通为特征，利于支路中若干个串并联器件同时开通的特点，显著提高了光控晶闸管开通初期峰值电流能力和di/dt耐量能力。

基本信息

专利标题：

一种多光敏区特高压光控晶闸管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920459175.7

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-04-08

授权号：

CN209804660U

授权日：

2019-12-17

发明人：

王正鸣高山城马宁强纪卫峰张刚琦

申请人：

西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司

申请人地址：

陕西省西安市高新区锦业二路13号

代理机构：

西安文盛专利代理有限公司

代理人：

彭冬英

优先权：

CN201920459175.7

主分类号：

H01L29/74

IPC分类号：

H01L29/74 H01L29/06 H01L31/08

法律状态

2019-12-17 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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