DRAM芯片
授权
摘要
一种DRAM芯片，包括：基底；位于所述基底上的DRAM存储电路；位于所述基底上的时钟产生电路，所述时钟产生电路用于在外部自动测试机台对DRAM芯片进行参数测试时向DRAM存储电路提供高频时钟信号。本实用新型的DRAM芯片提高了(全速)测试的效率和测试的精度。
基本信息
专利标题 ：
DRAM芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920465709.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-08
授权号 ：
CN210091727U
授权日 ：
2020-02-18
发明人 ：
朱家国
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN201920465709.7
主分类号 ：
G11C11/4063
IPC分类号 ：
G11C11/4063 G11C29/56
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的
G11C11/4063
辅助电路，例如，用于寻址、译码、驱动、写、读出或定时的
法律状态
2020-02-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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