半导体存储装置
授权
摘要
本申请提供一种半导体存储装置,包括译码模块、主字线驱动模块、子字线驱动模块和存储单元阵列。译码模块被配置为对目标存储单元行地址进行译码,以生成主字线选择信号和子字线选择信号;主字线驱动模块被配置为响应主字线选择信号而驱动多条主字线;子字线驱动模块被配置为响应子字线选择信号而驱动多条子字线;一个存储单元阵列包括多个存储单元,子字线驱动模块布置在存储单元阵列的任意一侧边缘处,且子字线驱动模块的输出端连接存储单元阵列的字线;至少两个不同的存储单元阵列共同使用一组主字线驱动模块,且一个译码模块连接至少一组主字线驱动模块。本申请提供的半导体存储装置面积更小,更符合半导体存储器的使用要求。
基本信息
专利标题 :
半导体存储装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113178216A
申请号 :
CN202110593694.4
公开(公告)日 :
2021-07-27
申请日 :
2021-05-28
授权号 :
CN113178216B
授权日 :
2022-05-20
发明人 :
孙会娟李智勋
申请人 :
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 :
安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 :
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 :
张娜
优先权 :
CN202110593694.4
主分类号 :
G11C11/408
IPC分类号 :
G11C11/408 G11C11/4063
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的,例如:应用多孔磁芯存储器;应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
形成需要刷新或电荷再生的单元的,即,动态单元的
G11C11/4063
辅助电路,例如,用于寻址、译码、驱动、写、读出或定时的
G11C11/407
用于场效应型存储单元的
G11C11/408
寻址电路
法律状态
2022-05-20 :
授权
2021-08-13 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/408
申请日 : 20210528
申请日 : 20210528
2021-07-27 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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