具有高速操作的存储器芯片架构
授权
摘要
一种半导体存储器装置包括：至少一个数据传输块，包括在半导体存储器装置的主轴侧排列的数据I/O垫；命令和地址传输块，包括在半导体存储器装置的至少一个副轴侧排列的地址和命令输入垫；全局线块，排列在半导体存储器装置的中心，用于传输所输入的命令和地址；以及至少一个储存体区，排列在全局线块与数据传输块之间，每一储存体区包含位于数据传输块侧的多个数据I/O块以及位于全局线块侧的多个控制块。
基本信息
专利标题 ：
具有高速操作的存储器芯片架构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1841553A
申请号 ：
CN200610002105.6
公开（公告）日 ：
2006-10-04
申请日 ：
2006-01-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李根一朱镕奭
申请人 ：
海力士半导体有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨红梅
优先权 ：
CN200610002105.6
主分类号 ：
G11C11/4063
IPC分类号 ：
G11C11/4063 G11C11/413
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的
G11C11/4063
辅助电路，例如，用于寻址、译码、驱动、写、读出或定时的
法律状态
2009-05-20 ：
授权
2006-12-06 ：
实质审查的生效
2006-10-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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