一种高电流密度晶体管驱动电路
授权
摘要
本实用新型涉及一种高电流密度晶体管驱动电路，包括信号隔离电路、RC滤波电路、信号放大电路和IGBT，所述信号隔离电路的输出端与RC滤波电路相接，信号隔离电路的输入端与PWM端口相接，滤波电路的输出端与信号放大电路相接，信号放大电路的输出端与IGBT相接。上述的高电流密度晶体管驱动电路，滤波电路而得到一个同频的正弦波传输，信号放大电路进行信号放大处理，从而获取更大的幅值的正弦波，以便去驱动，用电阻分压的方式控制三极管V1的开通与断开，三极管V1的开通与断开来控制实现驱动，所以在三极管V1开通过程中开通电阻所并联的接入部分是放大后的正弦波值，这样就使晶体管在开通过程中，使上升过程更加柔和，保持了晶体管的高电流密度。
基本信息
专利标题 ：
一种高电流密度晶体管驱动电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920498963.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-12
授权号 ：
CN210274013U
授权日 ：
2020-04-07
发明人 ：
胡婷曹爱美郭薛健谢凯凯
申请人 ：
深圳市豪林电子有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区南湾街道上李朗社区洲腾工业区7栋三楼
代理机构 ：
深圳市道勤知酷知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
何兵
优先权 ：
CN201920498963.7
主分类号 ：
H03K17/567
IPC分类号 ：
H03K17/567
法律状态
2020-04-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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