一种半导体气相沉淀装置中部件洗净熔射保护治具
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体气相沉淀装置中部件洗净熔射保护治具，包括内圈盖板和承载座；所述内圈盖板顶部设有提拉把手，内圈盖板的外边缘为倾斜边，在倾斜边上均匀分布有三个凹弧面，内圈盖板底部设有内定位台和一圈外定位台，所述外定位台与内定位台之间为凹槽结构，在凹槽结构两侧设有插台，在内定位台中部设有一定位槽；所述承载座包括座体，在座体内设有一圈承载内台，在承载内台上设有与三个凹弧面相对应的凹弧槽体，所述承载内台与座体的侧壁形成一承载槽，在承载内台内部凹设有圆形限位凹槽，所述圆形限位凹槽的两侧设有插槽；所述内圈盖板盖在承载内台上。本申请治具具有使用方便、精度高、可重复使用、节省人力及物料成本等优点。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体气相沉淀装置中部件洗净熔射保护治具
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920540838.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-19
授权号 ：
CN209778988U
授权日 ：
2019-12-13
发明人 ：
朱光宇陈智慧张正伟李泓波贺贤汉
申请人 ：
富乐德科技发展（大连）有限公司
申请人地址 ：
辽宁省大连市保税区海明路179-8号（环普国际产业园B04栋）
代理机构 ：
大连智高专利事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
盖小静
优先权 ：
CN201920540838.8
主分类号 ：
C23C14/56
IPC分类号 ：
C23C14/56
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/56
连续镀覆的专用设备；维持真空的装置，例如真空锁定器
法律状态
2019-12-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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