半导体PVD设备零部件的熔射保护治具
授权
摘要
本实用新型提供了一种涉及半导体零件技术领域的半导体PVD设备零部件的熔射保护治具，包括内圈保护治具和外圈保护治具，内圈保护治具连接于沉积环内壁上，内圈保护治具的凹槽与沉积环上的凸块适配连接，外圈保护治具连接于沉积环外壁上。本实用新型通过内圈保护治具和外圈保护治具对沉积环进行保护，对于被保护的零部件表面不会留下残胶、污垢且边缘齐整无毛刺，熔射遮蔽保护治具可以重复使用，代替手工用耐高温胶带对非熔射区域的遮蔽保护，具有使用方便，稳定可控，精度高，可重复使用，降低工时及物料成本的优点。
基本信息
专利标题 ：
半导体PVD设备零部件的熔射保护治具
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202220036929.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2022-01-07
授权号 ：
CN216688284U
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
王阳阳许义杰杨科陶近翁陶岳雨
申请人 ：
卡贝尼新材料科技(上海)有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区新元南路600号3幢201室
代理机构 ：
上海段和段律师事务所
代理人 ：
黄磊
优先权 ：
CN202220036929.X
主分类号 ：
C23C4/02
IPC分类号 ：
C23C4/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C4/00
熔融态覆层材料喷镀法，例如火焰喷镀法、等离子喷镀法或放电喷镀法的镀覆（堆焊入B23K，例如B23K5/18，B23K9/04
C23C4/02
待镀材料的预处理，例如为了在选定的表面区域镀覆
法律状态
2022-06-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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