一种基于慢光效应的新型辐射测量芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种基于慢光效应的新型辐射测量芯片。所述的芯片分为两部分，一部分为慢光吸波结构，分为上下两层，上层由周期性排布的单元组成，周期性单元结构由不同尺寸的方形金属层和吸波介质层在高度方向交替叠加形成的上窄下宽的多层金字塔结构组成，每个周期性单元结构相同，下层为金属基底，另一部分为红外成像仪。本实用新型采用一种更简单廉价的芯片，可以在大角度范围内快速测量手机等辐射体的辐射情况，同时改变结构尺寸可以很方便的使其工作在不同波段，大大提高了手机辐射测试的效率和成本。
基本信息
专利标题 ：
一种基于慢光效应的新型辐射测量芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920548302.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-22
授权号 ：
CN210803594U
授权日 ：
2020-06-19
发明人 ：
何赛灵贺楠
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市余杭塘路866号
代理机构 ：
浙江杭州金通专利事务所有限公司
代理人 ：
刘晓春
优先权 ：
CN201920548302.0
主分类号 ：
G01R29/08
IPC分类号 ：
G01R29/08
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R29/00
不包括在G01R19/00至G01R27/00各组中的电量的测量或指示装置
G01R29/08
电磁场特性的测量
法律状态
2020-06-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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