辐射测量传感器
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
本实用新型涉及一种辐射测量传感器，尤其用于测量γ辐射强度，传感器主要包括上部、底部法兰、底盘、电极，电极绝缘盘，前置放大器，绝缘部件，“O”形橡皮圈，多芯电缆以及排气管等部件，传感器采用多层电极结构，以及扩大了绝缘子底座尺寸和增加防潮釉涂层以及在绝缘子底座与法兰之间设置过渡不锈钢绝缘子座结构，整个传感器采用碳钢，使抗冲击强度绝缘强度增加成本低廉，易加工等优点，可用于核辐射装置中对核辐射强度，尤其是γ辐射的测量。
基本信息
专利标题 ：
辐射测量传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN89208382.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1989-06-17
授权号 ：
CN2053759U
授权日 ：
1990-02-28
发明人 ：
谢程远刘新民
申请人 ：
北京华海新技术开发公司
申请人地址 ：
北京市清华大学工物系馆
代理机构 ：
北京金桥专利事务所
代理人 ：
朱成蓉
优先权 ：
CN89208382.4
主分类号 ：
G01T1/16
IPC分类号 ：
G01T1/16
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01T
核辐射或X射线辐射的测量
G01T1/00
X射线辐射、γ射线辐射、微粒子辐射或宇宙线辐射的测量
G01T1/16
辐射强度测量
法律状态
1995-02-01 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1991-10-23 ：
授权
1990-02-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
