一种用于SiC晶体生长的装炉定位工具
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

本实用新型公开一种用于SiC晶体生长的装炉定位工具,包括定位环外圈,所述定位环外圈上固定有若干个定位机构,所述定位机构包括石墨螺杆、固定套筒、伸缩件和定位环内圈,所述定位环外圈上开设有若干个通孔,所述固定套筒安装在定位环外圈外表面上,所述石墨螺杆通过定位环外圈的通孔旋接在所述固定套筒上,所述定位环内圈与所述定位环外圈通过伸缩件固定连接,所述石墨螺杆包括端部和螺杆部,所述端部与螺杆部固定连接,所述螺杆部的表面上固定有刻度尺;本实用新型的装炉定位工具在SiC单晶装炉过程中保证了坩埚和中频感应线圈同心,使生长的SiC单晶界面良好,边缘薄厚均匀。

基本信息
专利标题 :
一种用于SiC晶体生长的装炉定位工具
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920585233.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-04-26
授权号 :
CN210945854U
授权日 :
2020-07-07
发明人 :
董永洋杨昆张福生路亚娟刘新辉牛晓龙
申请人 :
河北同光晶体有限公司
申请人地址 :
河北省保定市北三环6001号
代理机构 :
北京汇信合知识产权代理有限公司
代理人 :
戴凤仪
优先权 :
CN201920585233.0
主分类号 :
C30B23/00
IPC分类号 :
C30B23/00  C30B29/36  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2022-03-04 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : C30B 23/00
变更事项 : 专利权人
变更前 : 河北同光晶体有限公司
变更后 : 河北同光半导体股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 071000 河北省保定市北三环6001号
变更后 : 071000 河北省保定市北三环6001号
2020-07-07 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332