一种免喷锡免焊接的薄膜电容
授权
摘要
本实用新型公开了一种免喷锡免焊接的薄膜电容，薄膜电容卷由具有金属镀层的薄膜带绕卷而成，薄膜带的两个长边分别与金属箔带固接，使绕卷完毕的薄膜电容卷的两个端面分别被由金属箔带绕卷而成的金属卷覆盖；正、负极引脚的分别具有凹槽，薄膜电容卷的两端分别插装于正、负极引脚的凹槽内形成导电连接；电容封装壳为顶面具有开口的筒状，电容封装壳底面具有供正极引脚或负极引脚穿过的引脚孔，薄膜电容卷设置于电容封装壳内，正极引脚或负极引脚穿过引脚孔并伸出电容封装壳的外部。本实用新型电极在卷曲完毕时即自动形成，引脚直接插装于电容卷上，电容卷直接插装于封装壳内，全程无需喷锡、焊接、喷涂等加热冷却环节，生产效率更高。
基本信息
专利标题 ：
一种免喷锡免焊接的薄膜电容
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920624813.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-30
授权号 ：
CN209895922U
授权日 ：
2020-01-03
发明人 ：
钟秀童
申请人 ：
汕头市友盈电子科技有限公司
申请人地址 ：
广东省汕头市金平区升平第二工业区06B2厂房A幢第三层
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
周增元
优先权 ：
CN201920624813.6
主分类号 ：
H01G4/236
IPC分类号 ：
H01G4/236 H01G4/224 H01G4/32 H01G4/33
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01G
电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件
H01G4/00
固定电容器；及其制造方法
H01G4/002
零部件
H01G4/228
引出端
H01G4/236
引线穿过外壳的，例如穿心式引出端
法律状态
2020-01-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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