一种激光二极管测试设备
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本实用新型提出一种激光二极管测试设备。所述激光二极管测试设备包括，机架；上料部，安装于机架；所述上料部用于放置待测激光二极管芯粒；传料部，安装于机架；所述传料部用于将激光二极管芯粒传输到预定的位置；第一测试部，安装于机架；所述传料部能够将激光二极管芯粒从上料部传输到所述第一测试部，所述第一测试部对激光二极管芯粒进行测试；第二测试部，安装于机架；所述传料部能够将激光二极管芯粒从第一测试部传输到第二测试部，所述第二测试部对激光二极管芯粒进行测试；收料部，安装于机架；所述传料部能够将第二测试部上的激光二极管芯粒传输到收料部。
基本信息
专利标题 ：
一种激光二极管测试设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920641196.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-07
授权号 ：
CN209878273U
授权日 ：
2019-12-31
发明人 ：
王胜利杨波
申请人 ：
深圳市矽电半导体设备有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区龙城街道黄阁坑社区龙城工业园3号厂房三楼东区、五楼中西区
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201920641196.0
主分类号 ：
G01M11/02
IPC分类号 ：
G01M11/02
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01M
机器或结构部件的静或动平衡的测试；其他类目中不包括的结构部件或设备的测试
G01M11/02
•光学性质测试
法律状态
2020-04-10 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : G01M 11/02
变更事项 : 专利权人
变更前 : 深圳市矽电半导体设备有限公司
变更后 : 矽电半导体设备（深圳）股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 518172 广东省深圳市龙岗区龙城街道黄阁坑社区龙城工业园3号厂房三楼东区、五楼中西区
变更后 : 518172 广东省深圳市龙岗区龙城街道黄阁坑社区龙城工业园3号厂房三楼东区、五楼中西区
变更事项 : 专利权人
变更前 : 深圳市矽电半导体设备有限公司
变更后 : 矽电半导体设备（深圳）股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 518172 广东省深圳市龙岗区龙城街道黄阁坑社区龙城工业园3号厂房三楼东区、五楼中西区
变更后 : 518172 广东省深圳市龙岗区龙城街道黄阁坑社区龙城工业园3号厂房三楼东区、五楼中西区
2019-12-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
