基于MEMS微镜扫描的VCSEL单发光点光源系统

授权

摘要

本实用新型提供一种基于MEMS微镜扫描的VCSEL单发光点光源系统，其包括：单发光点VCSEL激光器以及MEMS微镜；单发光点VCSEL激光器包括：背面电极、衬底层、外延层、正面电极，正面电极、外延层、衬底层、背面电极自上而下依次层叠设置，MEMS微镜位于单发光点VCSEL激光器的出射光路上，MEMS微镜包括：反射镜以及驱动反射镜转动的驱动机构，反射镜具有第一转轴以及第二转轴，第一转轴与第二转轴相垂直。本实用新型通过MEMS微镜将单发光点VCSEL激光器发射的光线进行反射，快速地以点阵的方式投射到物体上，实现物体的成像，其避免了设置密集的激光器点阵。

基本信息

专利标题：

基于MEMS微镜扫描的VCSEL单发光点光源系统

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920667935.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-05-10

授权号：

CN209766860U

授权日：

2019-12-10

发明人：

王俊刘恒谭少阳

申请人：

苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市高新区科技城昆仑山路189号2幢

代理机构：

苏州国诚专利代理有限公司

代理人：

杨淑霞

优先权：

CN201920667935.3

主分类号：

H01S5/183

IPC分类号：

H01S5/183 H01S5/00