一种实时间接测量溅射靶材温度装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种实时间接测量溅射靶材温度装置，包括贴合设置在靶材铜底座上的导热固定装置及设置在导热固定装置上的温度传感器装置，所述导热固定装置包括上导热固定铜块及下导热固定铜块，所述上导热固定铜块及下导热固定铜块通过固定螺丝设置在靶材铜底座内侧位置；所述温度传感器装置包括温度传感器探头、与温度传感器探头相连的防水耐高温线缆及与防水耐高温线缆相连的显示器。本实用新型的有益效果是：该装置设计巧妙，结构合理，使用方便，应用本装置为样品进行磁控溅射镀膜，使镀膜过程更加安全，保障了实验人员的人身安全，保证了测量的薄膜与基体的结合力的稳定性与精确性，对薄膜的研究领域具有重要的意义。
基本信息
专利标题 ：
一种实时间接测量溅射靶材温度装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920814930.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-31
授权号 ：
CN210001924U
授权日 ：
2020-01-31
发明人 ：
马毅黄先伟宋宇轩俞越翎张泰华
申请人 ：
浙江工业大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市下城区朝晖六区
代理机构 ：
杭州浙科专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
吴秉中
优先权 ：
CN201920814930.9
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/54
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2020-01-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
