一种射频声表面波滤波器芯片
授权
摘要
本实用新型涉及滤波器芯片技术领域，尤其是一种射频声表面波滤波器芯片，包括由压电单晶箔和衬底构成的复合基片、在压电单晶箔表面制作的射频声表面波滤波器金属图形结构，射频声表面波滤波器金属图形结构由周期电极部分、内部连接电极和输入输出电极组成，复合基片上至少设置有一个背坑，背坑的位置对应于射频声表面波滤波器金属图形结构中的一个周期电极部分，压电单晶箔对应于背坑处的厚度为器件有源区压电层厚度设计值，背坑内设置有与压电单晶箔相连的多层介质膜，射频声表面波滤波器金属图形结构表面覆盖有多层介质层，本实用新型的产品成品率和器件可靠性高，通过在线选择刻蚀背坑内压电单晶箔，提升产品优品率。
基本信息
专利标题 ：
一种射频声表面波滤波器芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921001933.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-01
授权号 ：
CN210444234U
授权日 ：
2020-05-01
发明人 ：
李勇王祥邦刘敬勇黄亮卢凯方强王文崔坤孙建萍施旭霞
申请人 ：
中电科技德清华莹电子有限公司
申请人地址 ：
浙江省湖州市德清县武康志远北路188号
代理机构 ：
杭州赛科专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
付建中
优先权 ：
CN201921001933.7
主分类号 ：
H03H3/08
IPC分类号 ：
H03H3/08 H03H9/02 H03H9/64
法律状态
2020-05-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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