一种声表面波滤波器晶圆封装方法及芯片
实质审查的生效
摘要

本发明涉及声表面波滤波器技术领域,尤其涉及一种声表面波滤波器晶圆封装方法,包括:声表面波滤波器晶圆的第一表面上设置有电极和关键功能区,声表面波滤波器晶圆设置有切割区域,电极和关键功能区不在切割区域内,采用隐形激光切割工艺在切割区域内加工形成改质层,改质层不延伸到表面。盖板晶圆的第二表面上设置有待切区域,待切区域与切割区域相对应,采用光刻工艺在待切区域内间隔均匀加工多个凸块。采用点胶或印胶工艺在第二表面上形成胶水区,胶水区对应电极所在区域,且不对应关键功能区,将声表面波滤波器晶圆与盖板晶圆键合,以使第一表面与第二表面相对设置。本发明还提供了使用上述声表面波滤波器晶圆封装方法制造的芯片。

基本信息
专利标题 :
一种声表面波滤波器晶圆封装方法及芯片
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114512412A
申请号 :
CN202210413031.4
公开(公告)日 :
2022-05-17
申请日 :
2022-04-20
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
朱其壮朱杉陈振国金科吕军
申请人 :
苏州科阳半导体有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市漕湖街道方桥路568号
代理机构 :
北京品源专利代理有限公司
代理人 :
任德欣
优先权 :
CN202210413031.4
主分类号 :
H01L21/52
IPC分类号 :
H01L21/52  H01L21/78  H03H3/08  H03H9/64  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/52
半导体在容器中的安装
法律状态
2022-06-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/52
申请日 : 20220420
2022-05-17 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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