石墨舟及使用该石墨舟的PECVD设备
授权
摘要
本实用新型公开了一种石墨舟及使用该石墨舟的PECVD设备，包括多片纵向间隔排列的石墨舟片，所述石墨舟沿纵向分成多个子单元，相邻两个子单元的相邻两片石墨舟片之间填充绝缘材料，且每个子单元都设有独立电极形成单独的辉光区。本实用新型通过将石墨舟分为多个设有独立电极的子单元，形成多个单独的辉光区，使射频控制分开，实现独立控制辉光，因射频独立控制的区域变小，该区域所需的射频功率减小，在石墨舟的总功率翻倍的情况下，射频放电的波峰不变，便于控制，有效防止硅片与石墨舟卡点打火烧焦而造成的硅片报废。
基本信息
专利标题 ：
石墨舟及使用该石墨舟的PECVD设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921036589.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-04
授权号 ：
CN210394518U
授权日 ：
2020-04-24
发明人 ：
邓金生王凯赵峰李操政
申请人 ：
深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市坪山区龙田街道竹坑社区金牛东路62号
代理机构 ：
深圳市康弘知识产权代理有限公司
代理人 ：
万景旺
优先权 ：
CN201921036589.5
主分类号 ：
C23C16/505
IPC分类号 ：
C23C16/505 C23C16/458
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
C23C16/505
采用射频放电
法律状态
2020-04-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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