一种修正温度影响的足底压力传感器
授权
摘要
本实用新型公开了一种修正温度影响的足底压力传感器，它包括信号采集部分和电路部分，信号采集部分自上而下依次设置的第一器件保护层、第一电极层、压电薄膜层、地电极层和第二器件保护层；所述第一电极层、压电薄膜层和地电极层组成压力检测单元，第一电极层作为温度检测单元；电路部分包括前端电路和后端电路；前端电路包括控制器，所述控制器的控制信号输出端与第一电极层的信号输入端相连；后端电路采用第一后端电路或第二后端电路之一。本实用新型能够同时测出压力和温度，从而对温度变化引起的压电常数变化进行修正，大大提高了传感器的准确度，弥补了现有产品的缺陷，适用于医疗设备技术领域。
基本信息
专利标题 ：
一种修正温度影响的足底压力传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921044735.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-05
授权号 ：
CN210051460U
授权日 ：
2020-02-11
发明人 ：
高硕代晏宁
申请人 ：
北京中硕众联智能电子科技有限公司
申请人地址 ：
北京市海淀区西四环北路158号
代理机构 ：
石家庄科诚专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
徐安莲
优先权 ：
CN201921044735.9
主分类号 ：
G01L1/18
IPC分类号 ：
G01L1/18 G01L1/26 A61B5/103
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01L
测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力
G01L1/00
力或应力的一般计量
G01L1/18
利用压电电阻材料的性质，即材料的欧姆电阻随作用于材料上的力的大小或方向的改变而变化的性质
法律状态
2020-02-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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