一种用于双管IGBT的门极电路结构
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摘要
本实用新型属于电力电子器件技术领域，涉及一种用于双管IGBT的门极电路结构，包括：焊接于PCB板上的用于上管IGBT的第一采集电路、用于下管IGBT的第二采集电路；第一采集电路包括短路保护电路、过压抑制电路及滤波吸收稳压电路，短路保护电路的输出端分别与过压抑制电路、滤波吸收稳压电路连接，过压抑制电路的输出端经过单相过压抑制二极管与滤波吸收稳压电路连接；第二采集电路与第一采集电路的结构相同，相互独立。该电路可用于1700V双管封装的高压大功率IGBT，实现驱动信号的可靠工作，并有效抑制IGBT关断时产生的反向电压瞬时高脉冲，在出现短路时，快速有效地保护IGBT。
基本信息
专利标题 ：
一种用于双管IGBT的门极电路结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921104566.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-15
授权号 ：
CN210297541U
授权日 ：
2020-04-10
发明人 ：
陈宏苑伟华李红逯玉成王亮亮
申请人 ：
西安中车永电电气有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市未央区西安经济技术开发区凤城十二路中国中车永济电机
代理机构 ：
西安新动力知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘强
优先权 ：
CN201921104566.3
主分类号 ：
H02M1/08
IPC分类号 ：
H02M1/08 H02M1/32 H02M1/34 G01R31/27 G01R31/52 H02H7/20
法律状态
2020-04-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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