TMR全桥磁传感器
授权
摘要
TMR全桥磁传感器，该TMR全桥磁传感器包括：基片和设置于所述基片上的TMR单元，4组桥式连接的TMR单元形成全桥结构；所述基片上还设置有软磁层，所述TMR单元分布于所述软磁层的外围、分别位于所述软磁层四个角位置处。本实用新型在传感器中设置软磁层，利用软磁材料的特性以及软磁材料对外磁场的改变作用，在同一芯片上可以形成两种相反的磁性变化，进而引起位于相应位置的TMR单元的相反的电阻变化，实现在单一芯片上的全桥输出，克服了采用永磁体提供偏置场的传感器存在的在较大外部磁场作用下容易失效的问题，可以提高器件的抗干扰能力。
基本信息
专利标题 ：
TMR全桥磁传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921163002.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-23
授权号 ：
CN210487955U
授权日 ：
2020-05-08
发明人 ：
刘明关蒙萌胡忠强朱家训
申请人 ：
珠海多创科技有限公司
申请人地址 ：
广东省珠海市高新区唐家湾镇港湾大道科技一路10号主楼第六层614房H单元
代理机构 ：
广东朗乾律师事务所
代理人 ：
杨焕军
优先权 ：
CN201921163002.7
主分类号 ：
G01R33/09
IPC分类号 ：
G01R33/09
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/06
采用电磁器件
G01R33/09
磁电阻器件
法律状态
2020-05-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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