一种TMR全桥磁传感器，包括：基片和设置于所述基片上的TMR单元，所述TMR单元包括自由层、钉扎层和隧道层，4组TMR单元桥式连接形成全桥结构，4组TMR单元分别位于全桥结构的4个桥臂上；所述TMR单元的长宽比不等于1，位于相邻桥臂上的TMR单元的长轴相互垂直，位于相对桥臂上的TMR单元的长轴相互平行。本实用新型根据TMR单元的长轴方向来布置全桥结构上的TMR单元，使相邻桥臂上的TMR单元的长轴方向互相垂直，相对桥臂上的TMR单元的长轴方向相互平行，从而通过在磁场退火时施加特定角度的外加磁场，得以一次性在单一芯片上形成全桥结构，大大降低了单一芯片全桥磁传感器制备工艺的难度和生产成本。