一种单一芯片全桥TMR磁场传感器
授权
摘要
一种单一芯片全桥TMR磁场传感器,包括:磁电阻元件及偏置电流支路,所述磁电阻元件桥式连接形成全桥结构;所述磁电阻元件包括自由层、钉扎层及偏置电流层,所述偏置电流层与所述偏置电流支路相连,所述偏置电流支路向所述偏置电流层输入偏置电流;位于相邻桥臂上的磁电阻元件中偏置电流层内电流的方向相反,位于相对桥臂上磁电阻元件中偏置电流层内电流的方向相同。本实用新型在磁电阻元件中设置偏置电流层,利用偏置电流层改变磁电阻元件中自由层的磁化方向,实现对外部磁场的敏感相应,本实用新型的磁场传感器可以一次性在单一芯片上形成全桥结构,大大降低了单一芯片全桥磁传感器制备工艺的难度和生产成本。
基本信息
专利标题 :
一种单一芯片全桥TMR磁场传感器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020023750.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-01-06
授权号 :
CN212008887U
授权日 :
2020-11-24
发明人 :
刘明关蒙萌胡忠强周子尧朱家训黄豪
申请人 :
珠海多创科技有限公司
申请人地址 :
广东省珠海市高新区唐家湾镇科技七路1号4栋5-B单元
代理机构 :
广东朗乾律师事务所
代理人 :
杨焕军
优先权 :
CN202020023750.1
主分类号 :
G01R33/09
IPC分类号 :
G01R33/09
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/06
采用电磁器件
G01R33/09
磁电阻器件
法律状态
2020-11-24 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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